在高功率激光系统中需要用到大量光学元件，当激光穿过这些元件时会在其表面产生光学损失，因此需要在元件的表面镀制光学减反膜。 因此有潜力作为一种新型的光学减反膜用于高功率激光系统中。 利用北京同步辐射装...

半结晶聚合物具有典型的球晶结构，其中片晶层和非晶层交替排列。 整体而言，材料在拉伸形变时由各向同性的多晶结构最终会转变为分子链沿拉伸方向择优取向的纤维状（fibrillar）结构。 一些科学问题尚待解答：如晶...

高分子结晶行为是高分子物理领域内具有挑战性的基础问题之一，目前对高分子的结晶过程尤其是结晶诱导期结构的演化过程还缺乏清晰的认识。 利用北京同步辐射装置（BSRF）1W2A-小角散射实验站获得的PCL/LiClO4络合...

中国科学院化学研究所分子纳米结构与纳米技术院重点实验室宋卫国研究员领导的小组对花状及海胆状硅酸锌的结构和组装机理进行了深入研究，相关的研究成果发表在2012年第22期的《Journal of Materials Chemistry》...

目前，三族氮化物材料及其LED器件主要衬底为蓝宝石衬底。 MOVPE生长的GaN材料位错密度的范围大致在109cm-2数量级。 依据实验和计算结果表明：生长在碳纳米管图形化衬底上的氮化镓的刃位错密度为4.7×108cm-2，比...

自20世纪60年代人们发现电流能够改变金属合金的形核和生长过程以来，如改变枝晶形貌、细化晶粒等，随后电场对金属合金中枝晶微观结构的影响被广泛研究。 该研究组发现了直流电对Sn-Pb合金的等轴晶的形貌和生长速...

同时具有高矫顽力、高垂直磁各向异性和高磁能积的磁性材料在超高密度垂直磁记录、高性能永磁体以及高热稳定性并抗磁噪声的自旋电子学器件等方面有着广阔的应用前景。 最近中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实...

VO2在341K时会发生从低温绝缘相到高温金属的金属绝缘体相变，同时伴随着从单斜相到金红石相的结构相变。 利用北京同步辐射装置（BSRF）1W1B、1W2B和4B9B的吸收谱学实验技术，该研究组获得了W杂质和母体V原子周围...

Mn掺杂ZnO由于在自旋电子材料上的应用而得到了广泛的研究。 氧空位对研究Mn掺杂ZnO的性质存在一定影响。 因此在Mn掺杂ZnO体系中，提高Mn的溶解度以及降低氧空位的浓度时非常重要的。 共掺杂是一种改变掺杂离子的...